图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 FQD8P10, FQU8P10 |
| 标准包装 | 5,040 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 100V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 6.6A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 530 mOhm @ 3.3A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 15nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 470pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2.5W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 包装材料 | Tube |
| 最大门源电压 | ±30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | IPAK |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | P |
| 封装 | Rail |
| 最大漏源电阻 | 530@10V |
| 最大漏源电压 | 100 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | IPAK |
| 最大功率耗散 | 2500 |
| 最大连续漏极电流 | 6.6 |
| 引脚数 | 3 |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 6.6A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 标准包装 | 70 |
| 供应商设备封装 | I-Pak |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 530 mOhm @ 3.3A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.5W |
| 封装/外壳 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 470pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 15nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 70 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 连续漏极电流 | - 6.6 A |
| 零件号别名 | FQU8P10TU_NL |
| 下降时间 | 35 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 单位重量 | 0.012102 oz |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 正向跨导 - 闵 | 4.1 S |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 源极击穿电压 | +/- 30 V |
| 系列 | FQU8P10 |
| RDS（ON） | 410 mOhms |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 110 ns |
| 漏源击穿电压 | - 100 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 100 V |
| 宽度 | 2.5 mm |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| 类型 | MOSFET |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | - 6.6 A |
| 长度 | 6.8 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 410 mOhms |
| 身高 | 6.3 mm |
| 典型导通延迟时间 | 11 ns |
| Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
| 技术 | Si |
FQU8P10TU也可以通过以下分类找到
FQU8P10TU相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家
